| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI5857DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | 0 | |
| SI5858DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | 0 | 3,000:$0.40500 6,000:$0.38250 12,000:$0.37800 24,000:$0.37200 51,000:$0.36000 |
| SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | 0 | |
| SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | 0 | |
| SI4398DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC | 0 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 二極管（隔離式） |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 6A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 58 毫歐 @ 3.6A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 480pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 10.4W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? CHIPFET? 雙 |
| 供應商設備封裝: | PowerPAK? ChipFet 雙 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |