分離式半導體產品 SI8451DB-T2-E1品牌、價格、PDF參數
SI8451DB-T2-E1 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| SI8451DB-T2-E1 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT |
0 |
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| SI8451DB-T2-E1 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT |
0 |
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| SI1402DH-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 |
0 |
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| SI3451DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP |
0 |
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| SI4486EY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC |
0 |
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| SI4684DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
0 |
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| SI4831BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC |
0 |
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| SI5479DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET |
0 |
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| SI5857DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI6473DQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP |
0 |
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| SI7156DP-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
0 |
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SI8451DB-T2-E1 • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
標準
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: |
10.8A
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| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
80 毫歐 @ 1A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
24nC @ 8V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
750pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
13W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
6-MICRO FOOT?
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| 供應商設備封裝: |
6-Micro Foot?
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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