| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPI65R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262 | 0 | 10,000:$0.86021 |
| IPW65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | 0 | 1:$10.38000 10:$9.34000 100:$7.67920 250:$7.05652 500:$6.43390 1,000:$5.60372 2,500:$5.39617 5,000:$5.18863 10,000:$5.08485 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 600 毫歐 @ 2.1A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 210µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 63W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO262-3 |
| 包裝: | 管件 |