| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB042N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | 0 | 1:$3.66000 10:$3.29200 25:$2.98680 100:$2.68200 250:$2.43820 500:$2.13342 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 100A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.2 毫歐 @ 50A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 150µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 117nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 8410pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 214W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO263-3 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |