| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| TK100E10N1,S1X | Toshiba | MOSFET N CH 100V 207A TO220 | 0 | 1:$5.60000 10:$5.00000 25:$4.50000 100:$4.10000 250:$3.70000 500:$3.32000 1,000:$2.80000 2,500:$2.66000 5,000:$2.55000 |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba | MOSFET N CH 80V 214A TO220 | 0 | 1:$5.60000 10:$5.00000 25:$4.50000 100:$4.10000 250:$3.70000 500:$3.32000 1,000:$2.80000 2,500:$2.66000 5,000:$2.55000 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 207A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.4 毫歐 @ 50A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 1mA，10V |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 140nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 8800pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 255W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應商設備封裝: | TO-220-3 |
| 包裝: | 管件 |