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分離式半導體產品 SIA416DJ-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SIA416DJ-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S SC70-6L 100
SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S SC70-6L 100
SIA416DJ-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 11.3A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 83 毫歐 @ 3.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 295pF @ 50V
功率 - 最大: 19W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-70-6
供應商設備封裝: PowerPAK? SC-70-6 單
包裝: Digi-Reel®
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