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IC/電子元器件

分離式半導體產品 BSP295E6327T品牌、價格、PDF參數

BSP295E6327T • 品牌、價格

元器件型號	廠商	描述	數量	價格
BSP295E6327T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223	0	1:$0.94000 10:$0.75500 100:$0.56620 1,000:$0.32504
BSP295E6327T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223	0	1,000:$0.32504 5,000:$0.29358 10,000:$0.28834
BSP171PE6327T	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223	0
BSP171PE6327T	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223	0
BSP170PE6327T	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223	0
BSP170PE6327T	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223	0
BSP129E6327T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223	0
BSP129E6327T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223	0

BSP295E6327T • PDF參數

類別:	分離式半導體產品
FET 型:	MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點:	邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss):	60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:	1.8A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	300 毫歐 @ 1.8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）:	1.8V @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:	17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds:	368pF @ 25V
功率 - 最大:	1.8W
安裝類型:	表面貼裝
封裝/外殼:	TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝:	PG-SOT223-4
包裝:	剪切帶 (CT)

電子產品資料

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