| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI2314EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 | 0 | 3,000:$0.23490 |
| SI7491DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 11A PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.93690 |
| SI4438DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.93690 |
| SI6413DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP | 0 | 3,000:$0.93150 |
| SIRA00DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK | 0 | 1:$2.38000 25:$1.83600 100:$1.66600 250:$1.49600 500:$1.29200 1,000:$1.08800 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 3.77A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 33 毫歐 @ 5A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 950mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 750mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | SOT-23-3（TO-236） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |