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分離式半導體產品 SI3457BDV-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI3457BDV-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI3457BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP 0 3,000:$0.15655
SI2335DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 0 3,000:$0.14880
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP 75 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI3457BDV-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 3.7A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 54 毫歐 @ 5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.14W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應商設備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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