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分離式半導體產品 SIR788DP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SIR788DP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A SO-8 0 3,000:$0.47600
6,000:$0.45220
15,000:$0.43350
30,000:$0.42160
75,000:$0.40800
SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR 0 1:$1.29000
25:$1.02000
100:$0.91800
250:$0.79900
500:$0.71400
1,000:$0.56100
SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR 0 3,000:$0.47600
6,000:$0.45220
15,000:$0.43350
30,000:$0.42160
75,000:$0.40800
SIR788DP-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物!
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 60A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.4 毫歐 @ 20A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2873pF @ 15V
功率 - 最大: 48W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)
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