| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4425BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.38640 |
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.53200 5,000:$0.50540 12,500:$0.48450 25,000:$0.47120 |
| SIHD3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK | 50 | 1:$1.02000 25:$0.80200 100:$0.72170 250:$0.62816 500:$0.56134 1,000:$0.44105 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 8.8A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 12 毫歐 @ 11.4A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.5W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |