| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC | 0 | 2,500:$0.60200 5,000:$0.57190 12,500:$0.54825 25,000:$0.53320 62,500:$0.51600 |
| SI4646DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC | 0 | 2,500:$0.42000 |
| SI7682DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.41860 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 19.7A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 10 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2410pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 7.8W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SO |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |