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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4483EDY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4483EDY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4483EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.60340
SI4483EDY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫歐 @ 14A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: -
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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