| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHD3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK | 50 | 1:$1.02000 25:$0.80200 100:$0.72170 250:$0.62816 500:$0.56134 1,000:$0.44105 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 500V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 3A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.2 歐姆 @ 2.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 175pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 104W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | TO-252AA |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |