| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4463BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC | 459 | 1:$1.46000 25:$1.14920 100:$1.03410 250:$0.90004 500:$0.80430 1,000:$0.63195 |
| SI4463BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC | 459 | 1:$1.46000 25:$1.14920 100:$1.03410 250:$0.90004 500:$0.80430 1,000:$0.63195 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 9.8A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 11 毫歐 @ 13.7A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 56nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.5W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | Digi-Reel® |