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分離式半導體產品 SI4447DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI4447DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI4447DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC 565 1:$0.79000
25:$0.61200
100:$0.54000
250:$0.46800
500:$0.39600
1,000:$0.31500
SI4447DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC 565 1:$0.79000
25:$0.61200
100:$0.54000
250:$0.46800
500:$0.39600
1,000:$0.31500
SI4447DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC 0 2,500:$0.26100
5,000:$0.24300
12,500:$0.23400
25,000:$0.22500
62,500:$0.22140
125,000:$0.21600
SI4829DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 565 1:$0.75000
25:$0.52360
100:$0.44880
250:$0.38760
500:$0.33320
1,000:$0.25840
SI4829DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 565 1:$0.75000
25:$0.52360
100:$0.44880
250:$0.38760
500:$0.33320
1,000:$0.25840
SI4829DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.21080
5,000:$0.19720
12,500:$0.18360
25,000:$0.17340
62,500:$0.17000
125,000:$0.16320
SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V SC-70-6 688 1:$0.75000
25:$0.57800
100:$0.51000
250:$0.44200
500:$0.37400
1,000:$0.29750
SI4447DY-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 3.3A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 72 毫歐 @ 4.5A,15V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 805pF @ 20V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: Digi-Reel®
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