| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB083N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 | 1,000 | 1,000:$1.01341 2,000:$0.94352 5,000:$0.90857 10,000:$0.87363 25,000:$0.85615 50,000:$0.83868 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 80A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.3 毫歐 @ 73A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 75µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3980pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 125W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-2 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |