| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB039N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 | 1,118 | 1:$4.55000 10:$4.09500 25:$3.71560 100:$3.33630 250:$3.03300 500:$2.65388 |
| IPB039N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 | 0 | 1,000:$2.12310 2,000:$2.01695 5,000:$1.93354 10,000:$1.88046 25,000:$1.81980 |
| IPP111N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 | 495 | 1:$4.48000 10:$3.99600 25:$3.59640 100:$3.27670 250:$2.95704 500:$2.65334 1,000:$2.23776 2,500:$2.12587 5,000:$2.03796 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 160A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.9 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 160µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 117nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 8410pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 214W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO263-7 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |