| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP | 3,000 | 3,000:$0.37800 6,000:$0.35910 15,000:$0.34425 30,000:$0.33480 75,000:$0.32400 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 950mA |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.61 歐姆 @ 900mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 500pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 3.2W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 6-TSOP |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |