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分離式半導體產品 IPB107N20N3 G品牌、價格、PDF參數

IPB107N20N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
IPB107N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 1,726 1:$8.54000
10:$7.73800
25:$7.09320
100:$6.44820
250:$5.80340
500:$5.31976
IPB107N20N3 G • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 88A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10.7 毫歐 @ 88A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 270µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 7100pF @ 100V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: PG-TO263-2
包裝: 剪切帶 (CT)
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