| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | 1,552 | 1:$8.18000 10:$7.41200 25:$6.79440 100:$6.17660 250:$5.55896 500:$5.09570 |
| IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | 1,000 | 1,000:$4.16921 2,000:$4.01479 5,000:$3.86038 10,000:$3.78317 25,000:$3.70596 |
| IPB65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263 | 1,585 | 1:$3.39000 10:$2.90200 25:$2.61160 100:$2.36960 250:$2.12784 500:$1.83768 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 31.2A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 110 毫歐 @ 12.7A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 1.3mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 277.8W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO263 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |