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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3460DDV-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI3460DDV-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP 4,808 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI3460DDV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 28 毫歐 @ 5.1A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 666pF @ 10V
功率 - 最大: 2.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: Digi-Reel®
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