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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSB056N10NN3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

BSB056N10NN3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSB056N10NN3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 10,000 1:$3.92000
10:$3.52600
25:$3.19960
100:$2.87300
250:$2.61180
500:$2.28532
1,000:$1.95885
2,500:$1.86091
BSB056N10NN3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 10,000 1:$3.92000
10:$3.52600
25:$3.19960
100:$2.87300
250:$2.61180
500:$2.28532
1,000:$1.95885
2,500:$1.86091
BSB056N10NN3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 5,000 5,000:$1.66502
10,000:$1.61932
25,000:$1.56708
BSB056N10NN3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 83A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.6 毫歐 @ 30A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 50V
功率 - 最大: 78W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-WDSON
供應(yīng)商設(shè)備封裝: MG-WDSON-2,CanPAK M?
包裝: Digi-Reel®
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