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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSZ0901NSI品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSZ0901NSI • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSZ0901NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 7,996 1:$2.70000
10:$2.31700
25:$2.08480
100:$1.89190
250:$1.69884
500:$1.46718
1,000:$1.23552
2,500:$1.11969
BSF134N10NJ3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 5,000 5,000:$1.04572
10,000:$1.00550
25,000:$0.98539
50,000:$0.96528
BSZ0901NSI • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物!
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 40A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.1 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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