| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD250N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 | 2,500 | 2,500:$0.31480 5,000:$0.29309 12,500:$0.28223 25,000:$0.27138 62,500:$0.26703 125,000:$0.26052 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 28A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 25 毫歐 @ 28A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 11µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1200pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 36W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | PG-TO252-3 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |