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分離式半導體產品 BSZ086P03NS3 G品牌、價格、PDF參數

BSZ086P03NS3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 9,834 1:$1.14000
10:$1.02300
25:$0.90320
100:$0.81270
250:$0.70736
500:$0.63210
1,000:$0.49665
2,500:$0.46655
BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 9,834 1:$1.14000
10:$1.02300
25:$0.90320
100:$0.81270
250:$0.70736
500:$0.63210
1,000:$0.49665
2,500:$0.46655
BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 5,000 5,000:$0.40033
10,000:$0.38378
25,000:$0.37324
50,000:$0.36120
BSZ086P03NS3 G • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 40A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.6 毫歐 @ 20A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.9V @ 105µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 57.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4785pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應商設備封裝: PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝: Digi-Reel®
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