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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 FDD86113LZ品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

FDD86113LZ • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
FDD86113LZ Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 4,980 1:$1.34000
10:$1.18000
25:$1.06560
100:$0.93240
250:$0.81772
500:$0.72520
1,000:$0.57350
FDD86113LZ • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.2A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 104 毫歐 @ 4.2A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 285pF @ 50V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252-3
包裝: Digi-Reel®
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