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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSS159N H6327品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSS159N H6327 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSS159N H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 0
BSS159N H6327 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 230mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 歐姆 @ 160mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.4V @ 26µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 44pF @ 25V
功率 - 最大: 360mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-SOT23-3
包裝: 帶卷 (TR)
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