| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| BSO080P03S H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 | 5,000 | 2,500:$0.70294 5,000:$0.67691 12,500:$0.65088 25,000:$0.63786 62,500:$0.62484 |
| BSS126 H6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23 | 5,699 | 1:$0.70000 10:$0.60300 25:$0.54000 100:$0.47640 250:$0.41288 500:$0.34936 1,000:$0.27790 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 12.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8 毫歐 @ 14.9A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 136nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5890pF@ 25V |
| 功率 - 最大: | 1.79W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | P-DSO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |