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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSZ22DN20NS3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSZ22DN20NS3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSZ22DN20NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 7,344 1:$1.59000
10:$1.42100
25:$1.25360
100:$1.12810
250:$0.98184
500:$0.87738
1,000:$0.68937
2,500:$0.64759
BSZ22DN20NS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 225 毫歐 @ 3.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 13µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 430pF @ 100V
功率 - 最大: 34W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝: Digi-Reel®
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