| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| BSC060P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 | 9,988 | 1:$1.45000 10:$1.29700 25:$1.14480 100:$1.03030 250:$0.89676 500:$0.80136 1,000:$0.62964 2,500:$0.59148 |
| BSC060P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 | 5,000 | 5,000:$0.50753 10,000:$0.48654 25,000:$0.47318 50,000:$0.45792 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 17.7A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 6 毫歐 @ 50A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.9V @ 150µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 6020pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 83W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-PowerTDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | * |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |