元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格(人民幣) |
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DF900R12IP4D | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT MODULES 1200V 900A | 可訂貨 | |
FF150R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A | 可訂貨 | 6:¥783.50 10:¥724.16 |
FF650R17IE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 930A | 可訂貨 | 2:¥5,827.19 10:¥5,385.59 |
FZ800R33KL2C_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA | 可訂貨 | 2:¥23,287.16 |
IFS150B12N3T4_B31 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 MIPAQ BASE 1200V 150A | 可訂貨 | 6:¥2,335.72 10:¥2,158.73 |
FD600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A | 可訂貨 | 2:¥9,032.31 |
FD300R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 370A | 可訂貨 | 5:¥1,414.29 10:¥1,307.07 |
FF900R12IP4D | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 900A | 可訂貨 | 2:¥7,006.19 10:¥6,475.24 |
FF200R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 1200V 200A DUAL | 可訂貨 | 6:¥1,264.15 10:¥1,168.38 |
類別: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊 |
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描述: | IGBT 模塊 IGBT MODULES 1200V 900A |
RoHS: | 否 |
PDF參數: | |
制造商 | Infineon Technologies |
產品 | |
配置 | |
集電極—發射極最大電壓 VCEO | |
集電極—射極飽和電壓 | |
在25 C的連續集電極電流 | |
柵極—射極漏泄電流 | |
功率耗散 | |
最大工作溫度 | |
封裝 / 箱體 | |
封裝 |