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IGBT 模塊 GB25XF120K品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

GB25XF120K • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
GB25XF120K Vishay Semiconductors IGBT 模塊 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through 可訂貨
GB25XF120K • PDF參數(shù)
類(lèi)別: RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊
描述: IGBT 模塊 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
RoHS:
PDF參數(shù):
制造商 Vishay Semiconductors
產(chǎn)品 IGBT Silicon Modules
配置 Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO 1200 V
集電極—射極飽和電壓
在25 C的連續(xù)集電極電流 40 A
柵極—射極漏泄電流
功率耗散
最大工作溫度 + 150 C
封裝 / 箱體 Econo 2
封裝 Bulk
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