IGBT 模塊 BSM200GAL120DN2品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
BSM200GAL120DN2 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| BSM200GAL120DN2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH | 可訂貨 | |
| F4-100R06KL4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACK | 可訂貨 |
BSM200GAL120DN2 • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊 |
|---|---|
| 描述: | IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數(shù): | 
|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 產(chǎn)品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Single |
| 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.5 V |
| 在25 C的連續(xù)集電極電流 | 290 A |
| 柵極—射極漏泄電流 | 400 nA |
| 功率耗散 | 1.4 KW |
| 最大工作溫度 | + 150 C |
| 封裝 / 箱體 | HB 200GAL |
| 封裝 |
電子產(chǎn)品資料
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