| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| BSM75GB120DN2_E3223 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A | 可訂貨 |
| 類別: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊 |
|---|---|
| 描述: | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數(shù): | |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 產(chǎn)品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Dual |
| 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓 | |
| 在25 C的連續(xù)集電極電流 | 105 A |
| 柵極—射極漏泄電流 | |
| 功率耗散 | |
| 最大工作溫度 | + 150 C |
| 封裝 / 箱體 | 34MM |
| 封裝 | Reel |