式中w為薄膜的寬度（厘米）。通常rs應在一有限范圍內，rs太大會影響電阻器性能的穩定。因此圓柱形電阻體以刻槽方法，平面形電阻體用刻蝕迂回圖形的方法來擴大其阻值范圍，并進行阻值微調。