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EPC2103ENGRT

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價格
說明
操作

EPC2103ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

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EPC2103ENGRT PDF下載

功能描述
TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源極電壓（Vdss）
80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
23A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
5.5 毫歐 @ 20A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
6.5nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
7600pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作溫度
*
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
標準包裝
1

EPC2103ENGRT 技術參數

EPC2103ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:760pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2103 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:760pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2102ENGRT 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tj）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2102ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2102 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N