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EPC2104

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

EPC2104ENGRT
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
35153
EPC
Die
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

EPC2104
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
EPC
模具
21+
-
質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

EPC2104
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時(shí)代廣場D1棟26A
30
EPC
SMD
N/A
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

EPC2104ENG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
EPC
托盤
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁 40條/頁共7條
1

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EPC2104 PDF下載

功能描述
TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
2 個(gè) N 通道（半橋）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
23A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
6.3 毫歐 @ 20A，5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 5.5mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
7nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
800pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應(yīng)商器件封裝
模具
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

EPC2104 技術(shù)參數(shù)

EPC2103ENGRT 功能描述:TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7600pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2103ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:760pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2103 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:760pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2102ENGRT 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Tj）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2102ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100