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參數資料
| 型號： | EMX18 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | General purpose transistors (dual transistors) |
| 中文描述： | 通用晶體管（雙晶體管） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | EMX18 |
EMX18 / UMX18N
Transistors
General purpose transistors
(dual transistors)
EMX18 / UMX18N
z
Features
1) Two 2SC5585 chips in a EMT or UMT package.
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic
mounting machines.
3) Transistor elements are independent, eliminating
interference.
4) Mounting cost and area can be cut in half.
z
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
The following characteristics apply to both Tr
1
and Tr
2.
z
Equivalent circuit
EMX18 / UMX18N
(3)
(2)
(1)
(4)
(6)
(5)
Tr
2
Tr
1
z
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : EMT6
EMX18
ROHM : UMT6
EIAJ : SC-88
UMX18N
Abbreviated symbol : X18
Abbreviated symbol : X18
Each lead has same dimensions
Each lead has same dimensions
0
(
2
1
0
0
0
0.1Min.
2.1
0
0
1.25
(
0
(
(
(
(
0
1.2
1.6
(1)
(2)
(5)
(3)
(6)
(4)
0
0
0
0
1
1
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
1 120mW per element must not be exceeded.
Power dissipation
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
CBO
15
V
12
V
V
V
CEO
V
EBO
6
I
C
mA
mW
1
500
Tj
150
C
Tstg
55
～+
150
C
Pd
150 (TOTAL)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMX1 | General purpose transistors (dual transistors) |
| EMX28 | Low frequency transistor, complex (2-elements) Bipolar Transistor |
| EMX2 | General purpose (dual transistors) |
| EMX3 | General purpose (dual transistors) |
| EMX4 | High transition frequency (dual transistors) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| EMX18_1 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistors (dual transistors) |
| EMX18T2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL NPN 12V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| EMX1DXV6T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| EMX1DXV6T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual NPN General Purpose Amplier Transistor |
| EMX1DXV6T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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