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參數資料
| 型號： | F49L160BA-70T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁數： | 24/51頁 |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | F49L160BA-70T |
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ES MT
10. AC CHARACTERISTICS
TEST CONDITIONS
F49L160UA/F49L160BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Dec. 2006
Revision: 1.3 24/51
Figure 3. Test Setup
Figure 4. Input Waveforms and Measurement Levels
Input
3.0V
0V
1.5V
Output
1.5V
Test Points
A C TE S TIN G : Input s a r e d ri ven at 3. 0 V f o r a l o g i c " 1 " a nd 0 V f o r a l og i c " 0 "
Inp ut p ul s e r i se a nd f al l ti m es a re < 5 ns .
6.2K
DIODES = IN3064
OR EQUIVALENT
+3.3V
2.7K
CL = 100pF Including jig capacitance
CL = 30pF for F49L800U/BA
CL
DEVICE UNDER
TEST
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F49L160BA-90T | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L160UA | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L160UA-70T | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L160UA-90T | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400BA | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| F49L160BA-70TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L160BA-90T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L160BA-90TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L160BA-90TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L160UA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
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