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參數資料
| 型號： | F49L400BA-90T |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8/256K × 16）3V時僅閃存的CMOS |
| 文件頁數： | 23/47頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | F49L400BA-90T |
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EFS T
F49L400UA/F49L400BA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Sep. 2006
Revision: 1.1 23/47
Table 12.
CE
Controlled Program/Erase Operations(T
A
= 0C to 70C, V
CC
= 3.0V~3.6V)
-70
-90
Symbol
Description
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
70
90
ns
t
AS
Address Setup Time
0
0
ns
t
AH
Address Hold Time
45
45
ns
t
DS
Data Setup Time
35
35
ns
t
DH
Data Hold Time
0
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
0
0
ns
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
0
0
ns
t
WS
WE
Setup Time
0
0
ns
t
WH
WE
Hold Time
0
0
ns
t
CP
CE
Pulse Width
35
35
ns
t
CPH
CE
Pulse Width High
30
30
ns
t
WHWH1
Programming Operation(note2)
9(typ.)
9(typ.)
us
t
WHWH2
Sector Erase Operation (note2)
0.7(typ.)
0.7(typ.)
sec
Notes :
1. Not 100% tested.
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F49L400UA | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400UA-70T | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400UA-90T | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800BA | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800BA-70T | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| F49L400UA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400UA-70T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L400UA-90T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800BA | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
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