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參數(shù)資料
型號: F49L400BA-90T
廠商: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述: 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
中文描述: 4兆位(為512k × 8/256K × 16)3V時(shí)僅閃存的CMOS
文件頁數(shù): 45/47頁
文件大小: 397K
代理商: F49L400BA-90T
EFS T
11. ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
F49L400UA/F49L400BA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Sep. 2006
Revision: 1.1 45/47
Table 15. Erase And Programming Performance (Note.1)
Limits
Parameter
Typ.(2)
Max.(3)
Unit
Sector Erase Time
0.7
15
Sec
Chip Erase Time
11
50
Sec
Byte Programming Time
9
300
Us
Word Programming Time
11
360
Us
Byte Mode
4.5
13.5
Sec
Chip Programming Time
Word Mode
3
9
Sec
Erase/Program Cycles (1)
100,000
-
Cycles
Notes:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25°C, 3.3V.
3.Maximum values measured at 85°C, 3.0V.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
F49L400UA 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L400UA-70T 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L400UA-90T 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L800BA 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L800BA-70T 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
F49L400UA 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L400UA-70T 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L400UA-90T 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L800BA 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory
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