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參數資料
| 型號： | FA01219A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | GaAs FET HYBRID IC |
| 中文描述： | 砷化鎵場效應管混合集成電路 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | FA01219A |
FA01219A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
GaAs FET HYBRID IC
Nov. ′97
DESCRIPTION
FA01219A is RF Hybrid IC designed for 0.8GHz band
small size handheld radio.
FEATURES
Low voltage
High gain
High efficiency
High power
3.5V
22.5B
50%
30.5dBm
APPLICATION
PDC0.8GHz
Unit:mm
RF INPUT RF OUTPUT
V
D1
GND
GND
GND
V
D2
V
G1,2
4
2.0
6.0
0.8
10.0
GND
GND
tolerance:±0.2
Typ
–
Max
958
8
Min
925
–
–
–
–
–
–
–
Limits
Parameter
Test conditions
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
D
P
in
T
C
(op)
T
stg
Storage temperature
Note: Each maximum ratings is guaranteed independently and duty=1/3 operation. T=20 msec
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
a
=25C)
Symbol
Unit
f
P
in
I
Dt
ρ
in
ACP50
ACP100
2fo
3fo
Total drain current
Return loss
±50kHz adjacent channel power
±100kHz adjacent channel power
2nd harmonics
3rd harmonics
-6
-47
-62
-30
-30
720
MHz
dBm
mA
dB
dBc
dBc
dBc
dBc
Po=30.5dBm
V
D1
=V
D2
=3.5V
V
G1,2
=-2.5V
Z
G
=Z
L
=50
(
π
/4DQPSK)
–
–
–
640
–
–
5
Parameter
Ratings
4.5
15
-20 to +85
-30 to +90
Unit
V
dBm
C
C
Drain voltage
Input power
Operation case temperature
Frequency
Input power
Tc
25C
25C
–
–
Condition
Po
≤
30.5dBm
Z
G
=Z
L
=50
Ditto
(CW)
3
2
1
4
5
6
7
8
3
2
1
5
6
7
8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FA01220A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:GaAs FET HYBRID IC |
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| FA01314-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
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