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參數資料
| 型號： | FA01219A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | GaAs FET HYBRID IC |
| 中文描述： | 砷化鎵場效應管混合集成電路 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | FA01219A |
FA01219A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
GaAs FET HYBRID IC
Nov. ′97
TYPICAL CHARACTERISTICS 2
ACP vs f CHARACTERISTICS
f(MHz)
908.5
925
941.5
958
974.5
-60
-55
-50
-40
-45
-65
I
D
vs f CHARACTERISTICS
f(MHz)
908.5
941.5
50
0
800
750
958
974.5
100
500
450
650
600
925
1
D2
Pin, R.L vs f CHARACTERISTICS
f(MHz)
908.5
2.0
8.0
941.5
958
5.0
6.0
0.0
974.5
7.0
925
I
D
vs V
D
CHARACTERISTICS
V
D
(V)
3
3.1
3.5
3.8
4
V
D1
=3.5V
V
D2
=3.5V
V
G
=-2.5V
P
O
=30.5dBm SET
-50k
+50k
+100k
-100k
150
200
250
300
350
400
550
700
1
D1
V
D1
=3.5V
V
D2
=3.5V
V
G
=-2.5V
P
O
=30.5dBm SET
4.0
3.0
1.0
-14.0
-2.0
-8.0
-6.0
-18.0
-4.0
-10.0
-12.0
-16.0
V
D1
=3.5V
V
D2
=3.5V
V
G
=-2.5V
P
O
=30.5dBm SET
Pin
R.L.
50
0
800
750
100
500
450
650
600
150
200
250
300
350
400
550
700
3.2 3.3 3.4
3.6 3.7
3.9
f=925MHz
V
G
=-2.5V
P
O
=30.5dBm SET
I
Dt
I
D1
I
Dt
I
D2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數描述 |
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