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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FA38SA50LC |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RECTIFIER BRIDGE 25A 200V 350A-ifsm 1.05V-vf 10uA-ir GBJ 15/TUBE |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | FA38SA50LC |
FA38SA50LC
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
80
Q , Total Gate Charge (nC)
160
240
320
400
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
38A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
1
10
100
1000
1
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
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