- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375763 > FCX589 (ZETEX PLC) PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FCX589 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | FCX589 |
SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
%
PARTMARKING DETAIL –
P89
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
-50
V
Collector-Emitter Voltage
-30
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
1
W
-65 to +150
°C
S YMBOL MIN.
MAX .
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
μ
A
V
CB
=-30V
V
CES
=-30V
Breakdown Voltages
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CES
-50
V
-30
V
-5
V
Collector Cut-Off Current
-100
nA
Collector -Emitter Cut-Off
Current
-100
nA
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-100
nA
V
EB
=-4V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Collector-Emitter
S aturation Voltage
-0.35
-0.65
V
Base-Emitter
S aturation Voltage
V
BE(sat)
-1.2
V
Base-Emitter
Turn-on Voltage
V
BE(on)
-1.1
V
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
S tatic Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
100
100
80
40
300
I
C
=-1mA, V
=-2V*
I
C
=-500mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
100
MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical Characteristics graphs see FMMT549 datasheet
FCX589
C
B
C
E
3 - 91
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCX591A | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FCX593 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FCX596 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FCX605TA | 120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR |
| FCX605 | 120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FCX589TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FCX591 | 制造商:HTSEMI 制造商全稱:Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 功能描述:TRANSISTOR (PNP) |
| FCX591A | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FCX591ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FCX591TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。