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參數資料
| 型號： | FCX591A |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | FCX591A |
SOT89 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
PART MARKING DETAIL -
COMPLEMENTARY TYPE -
P2
FCX491A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
-40
V
Collector-Emitter Voltage
-40
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-65 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
V
I
C
=-10mA*
V
I
E
=-100
μ
A
-100
nA
V
CB
=-30V
-100
nA
V
EB
=-4V
-100
nA
V
CES
=-30V
-0.2
-0.35
-0.5
V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
-1.1
V
I
C
=-1A, I
B
=-50mA*
-1.0
V
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-1mA,
I
C
=-100mA*,
I
C
=-500mA*, V
CE
=-5V
I
C
=-1A*,
I
C
=-2A*,
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Breakdown Voltages
V
(BR)CBO
-40
V
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
-40
-5
Collector Cut-Off Current
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE(sat)
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
V
I
C
=-100mA,I
B
=-1mA*
I
C
=-500mA I
=-20mA*
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
Base-Emitter Turn-on Voltage
Static Forward Current Transfer
Ratio
300
300
250
160
30
800
Transition Frequency
f
T
150
Output Capacitance
C
obo
10
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
For typical characteristics graphs see FMMT591A datasheet
FCX591A
C
B
C
E
3 - 93
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PDF描述 |
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參數描述 |
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