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參數資料
| 型號： | FCX605 |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | 120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 120伏特高壓NPN硅達林頓晶體管 |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | FCX605 |
ISSUE 1 - J ULY 2001
FCX605
NPN TYPICAL CHARACTERISTICS
4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCX617 | NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
| FCX619 | NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
| FCX658A | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FCX688B | NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
| FCX690B | NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FCX605TA | 功能描述:達林頓晶體管 NPN 120V Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FCX617 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
| FCX617TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FCX619 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| FCX619_03 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT89 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
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