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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FCX658A |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | FCX658A |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
400
480
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO)
400
465
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
7.8
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=320V
Collector Cut-Off
Current
I
CES
100
nA
V
CE
=320V
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
100
nA
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.165
0.125
0.2
V
V
V
I
C
=20mA, I
B
=1mA
I
C
=50mA, I
B
=5mA*
I
C
=100mA,
I
B
=10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.75
0.85
V
I
C
=100mA,
I
B
=10mA*
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
0.70
0.85
V
IC=100mA, V
CE
=5V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
85
100
55
35
150
170
130
90
I
C
=1mA, V
CE
=5V*
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=200mA, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
50
MHz
I
=20mA, V
CE
=20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
10
pF
V
CB
=20V, f=1MHz
Switching times
t
on
t
off
130
3300
ns
ns
I
C
=100mA, V
C
=100V
I
B1
=10mA,
I
B2
=-20mA
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
NB
For high voltage applications the appropriate industry sector PCB guidelines should be
considered with regard to voltage spacing between conductors.
FCX658A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FCX690B | NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
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| FCX705TA | 120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR |
| FCX717 | PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FCX688B | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
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