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參數資料
| 型號： | FCX718 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
| 中文描述： | 2500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | FCX718 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-20
-65
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-20
-55
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
-8.8
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-15V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
I
CES
-100
nA
V
EB
=-4V
V
CES
=-15V
Collector Emitter
Cut-Off Current
-100
nA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-16
-130
-145
-40
-200
-220
-300
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.1A, I
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-20mA*
I
C
=-1.5A, I
B
=-50mA*
I
C
=-2.5A, I
B
=-200mA*
I
C
=-2.5A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.98
-1.1
V
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-0.85
-0.95
V
I
C
=-2.5A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer
Ratio
h
FE
300
300
150
35
15
475
450
230
70
30
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-0.1A, V
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-4A, V
CE
=-2V*
I
C
=-6A, V
CE
=-2V*
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Transition
Frequency
f
T
150
180
MHz
Output Capacitance
C
obo
t
(on)
t
(off)
21
30
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
V
CC
=-15V, I
=-0.75A
I
B1
=I
B2
=15mA
Turn-On Time
40
ns
Turn-Off Time
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
670
ns
FCX718
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD0200YR00AM | DIAC |
| FD0200YR | DIAC |
| FD1000FH-56 | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
| FD1000FV-90 | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
| FD1000FX-90 | HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FCX789A | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
| FCX789ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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